- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录427 > FDS89161 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS89161 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 2.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 210pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS89161DKR |
Typical Characteristics ( N-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
15
V GS = 10 V
V GS = 7 V
4
V GS = 5 V
V GS = 5.5 V
12
3
9
6
V GS = 6 V
V GS = 5.5 V
2
V GS = 6 V
V GS = 7 V
3
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = 5 V
1
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = 10 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0
1
2
3
4
0
0
3
6
9
12
15
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
I D = 2.7 A
V GS = 10 V
500
400
I D = 2.7 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.4
1.2
1.0
300
200
T J = 125 o C
0.8
100
0.6
T J = 25 o C
0.4
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
0
4
5
6 7 8 9
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. Normalized On-Resistance
vs Junction Temperature
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
15
PULSE DURATION = 80 μ s
20
10
V GS = 0 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
12
9
V DS = 5 V
1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
6
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.1
3
T J = -55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
2
3
4
5
6
7
8
9
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS89161 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8928A | MOSFET N/P-CH DUAL 30/20V 8SOIC |
| FDS8935 | MOSFET P-CH 80V 2.1A 8SOIC |
| FDS8949_F085 | MOSFET N-CH 40V DUAL 8-SOIC |
| FDS8949 | MOSFET N-CH DUAL 40V 6A 8-SOIC |
| FDS8958A_F085 | MOSFET N/P-CH 30V DUAL 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS89161LZ | 功能描述:MOSFET PT5 100V Logic Level with Zener RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8926 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| FDS8926A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8928A | 功能描述:MOSFET SO-8 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8934 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。