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参数资料
| 型号： | FDS89161 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 2.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 210pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS89161DKR |
Typical Characteristics ( N-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
10
300
8
I D = 2.7 A
V DD = 25 V
100
C iss
V DD = 50 V
6
4
V DD = 65 V
10
C oss
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
1
2
3
4
1
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
3.0
2.5
3
2
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10 V
2.0
T J
= 25 o C
T J = 100 o C
1
V GS = 6 V
R θ JA = 78 C/W
1.5
T J = 125 o C
o
T A , Ambient TEMPERATURE ( C )
1.0
0.01
0.1
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
1
2
0
25
50 75 100 125
o
150
20
10
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
100 us
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
700
SINGLE PULSE
R θ JA = 135 o C/W
100
T C = 25 o C
1
THIS AREA IS
1 ms
10 ms
0.1
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
100 ms
1s
10
10
10
10
10
10
10
0.01
0.005
0.1
R θ JA = 135 o C/W
T A = 25 o C
1
10
10 s
DC
100
400
1
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
2
3
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS89161 Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS89161LZ | 功能描述:MOSFET PT5 100V Logic Level with Zener RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDS8928A | 功能描述:MOSFET SO-8 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8934 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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