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参数资料
| 型号： | FDS9400A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 205pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS9400AFSDKR |
December 2001
FDS9400A
30V P-Channel PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench
process. It has been optimized for power management
? –3.4 A, –30 V
R DS(ON) = 130 m ? @ V GS = –10 V
R DS(ON) = 200 m ? @ V GS = –4.5 V
applications requiring a wide range of gave drive
voltage ratings (4.5V – 25V).
Applications
? Power management
? Load switch
? Battery protection
? Low gate charge (2.4nC typical)
? Fast switching speed
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
? High power and current handling capability
D D
D D
D D
D D
5
6
4
3
S S S
S S G
SO-8
Pin 1 SO-8
S
G
7
8
2
1
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
–30
± 25
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
–3.4
A
– Pulsed
–10
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
2.5
W
(Note 1b)
(Note 1c)
1.2
1
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +175
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1c)
(Note 1)
50
125
25
° C/W
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS9400A
Device
FDS9400A
Reel Size
13’’
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
? 2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS9400A Rev B1(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS9431A_F085 | MOSFET P-CH 20V 8-SOIC |
| FDS9431A | MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC |
| FDS9435A | MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC |
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| FDS9933A | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS9412 | 功能描述:MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9412 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS9412A | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9431 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDS9431A | 功能描述:MOSFET SO-8 SGL P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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