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参数资料
| 型号： | FDS9933A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS9933ADKR |
November 1998
FDS9933A
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench ? MOSFET
General Description
These P-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced
using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench
process that has been especially tailored to minimize the
Features
? -3.8 A, -20 V. R DS(on) = 0.075 ? @ V GS = -4.5 V
R DS(on) = 0.105 ? @ V GS = -2.5 V.
on-state resistance and yet maintain low gate charge for
superior switching performance.
Applications
? Load switch
? DC/DC converter
? Motor drives
?
?
?
?
Low gate charge ( 7nC typical ).
Fast switching speed.
High performance trench technology for extremely
low R DS(on) .
High power and current handling capability.
D1
D1
D2
D2
5
6
4
3
SO-8
pin 1
S1
G1
S2
G2
7
8
2
1
T A =25 C unless otherwise noted
Absolute Maximum Ratings
o
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
FDS9933A
-20
± 8
Units
V
V
I D
Drain Current
- Continuous
(Note 1a)
-3.8
A
- Pulsed
-20
P D
Power Dissipation for Dual Operation
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1b)
(Note 1c)
2.0
1.6
1.0
0.9
W
T J , T stg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
78
40
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS9933A
Device
FDS9933A
Reel Size
13’’
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
? 1998 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS9933A Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS9933BZ | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.9A 8-SOIC |
| FDS9934C | MOSFET N/P-CH DUAL 20V 8SOIC |
| FDS9945 | MOSFET N-CH 60V 3.5A SO-8 |
| FDS9953A | MOSFET P-CH DUAL 30V 2.9A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS9933A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS9933A_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9933BZ | 功能描述:MOSFET -20V 2.5V Dual P-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9934C | 功能描述:MOSFET 20V Complementary PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9934C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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