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参数资料
| 型号： | FDS9953A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V 2.9A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 185pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS9953ADKR |
May 2001
FDS9953A
Dual 30V P-Channel PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench
process. It has been optimized for power management
? –2.9 A, –30 V
R DS(ON) = 130 m ? @ V GS = –10 V
R DS(ON) = 200 m ? @ V GS = –4.5 V
applications requiring a wide range of gave drive
voltage ratings (4.5V – 25V).
Applications
? Low gate charge (2.5nC typical)
? Fast switching speed
?
?
?
Power management
Load switch
Battery protection
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
? High power and current handling capability
D D2
D D1
D D1
D D2
5
6
Q1
4
3
7
2
SO-8
Pin 1 SO-8
G1
S1 G
G2 S
S2 S
S
8
Q2
1
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
–30
± 25
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
± 2.9
A
– Pulsed
± 10
P D
Power Dissipation for Dual Operation
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1b)
(Note 1c)
2
1.6
1
0.9
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ J C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
78
40
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS9953A
Device
FDS9953A
Reel Size
13’’
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
? 2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS9953A Rev B(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS9958_F085 | MOSFET P-CH DUAL 60A 8-SOIC |
| FDS9958 | MOSFET P-CH 60V DUAL SO-8 |
| FDSS2407 | MOSFET N-CH 62V 3.3A 8-SOIC |
| FDT3612 | MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223 |
| FDT3N40TF | MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS9953A_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9958 | 功能描述:MOSFET -60V Dual P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9958_F085 | 功能描述:MOSFET Dual P-Ch PowerTrench MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9958F085 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel PowerTrench?? MOSFET |
| FDSAS2062 | 功能描述:标准时钟振荡器 62.5 MHz, 2.5V CMOS SAS2 RoHS:否 制造商:AVX 产品:Standard Clock Oscillators 封装 / 箱体:7 mm x 5 mm 频率:75 MHz 频率稳定性:50 PPM 电源电压:2.5 V 负载电容: 端接类型:SMD/SMT 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C 输出格式:LVDS 尺寸: 封装:Reel 系列: |
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