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参数资料
| 型号： | FDS9953A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V 2.9A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 185pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS9953ADKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
Drain–Source Breakdown
Voltage
V GS = 0 V, I D = –250 μ A
–30
V
? BV DSS
? T J
I DSS
Breakdown Voltage Temperature I D = –250 μ A, Referenced to 25 ° C
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current V DS = –24 V, V GS = 0 V
–23
–2
mV/ ° C
μ A
I GSSF
I GSSR
Gate–Body Leakage, Forward
Gate–Body Leakage, Reverse
V GS = –25 V,
V GS = 25 V,
V DS = 0 V
V DS = 0 V
–100
100
nA
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
? V GS(th)
? T J
R DS(on)
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
Static Drain–Source
On–Resistance
V DS = V GS , I D = –250 μ A
I D = –250 μ A, Referenced to 25 ° C
V GS = –10 V, I D = –1 A
V GS = –10 V, I D = –1 A, T J =125 ° C
–1
–1.8
4
95
137
–3.0
130
200
V
mV/ ° C
m ?
V GS
V GS
= –4.5 V, I D = –0.5 A
= –4.5 V, I D = –0.5 A, T J =125 ° C
142
202
200
310
I D(on)
g FS
On–State Drain Current
Forward Transconductance
V GS = –10 V,
V GS = –4.5 V,
V DS = –15 V,
V DS = –5 V
V DS = –5 V
I D = –1 A
–5
–1.5
4
A
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = –15 V,
f = 1.0 MHz
V GS = 0 V,
185
56
26
pF
pF
pF
Switching Characteristics
(Note 2)
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Turn–On Delay Time
Turn–On Rise Time
Turn–Off Delay Time
Turn–Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate–Source Charge
V DD = –15 V,
V GS = –10 V,
V DS = –5 V,
V GS = –10 V
I D = –1 A,
R GEN = 6 ?
I D = –1 A,
4.5
13
11
2
2.5
0.8
9
23
20
4
3.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
Q gd
Gate–Drain Charge
0.9
nC
Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current
–1.2
A
V SD
Drain–Source Diode Forward
V GS = 0 V, I S = –1.3 A
(Note 2)
–0.8
1.3
V
Voltage
t rr
Reverse Recovery Time
V GS = 0 V, I F = –1.25A,
17
100
nS
dI F /dt = 100A/ μ s
FDS9953A Rev B(W)
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