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参数资料
| 型号： | FDS9953A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V 2.9A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 185pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS9953ADKR |
Typical Characteristics
Notes:
1. R θ JA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of
the drain pins. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined by the user's board design.
a)
78°C/W when
b)
125°C/W when
c)
135°C/W when
mounted on a
0.5in 2 pad of 2
oz copper
mounted on a
0.02 in 2 pad of
2 oz copper
mounted on a
minimum pad.
Scale 1 : 1 on letter size paper
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 μ s, Duty Cycle < 2.0%
FDS9953A Rev B(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS9958_F085 | MOSFET P-CH DUAL 60A 8-SOIC |
| FDS9958 | MOSFET P-CH 60V DUAL SO-8 |
| FDSS2407 | MOSFET N-CH 62V 3.3A 8-SOIC |
| FDT3612 | MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223 |
| FDT3N40TF | MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS9953A_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9958 | 功能描述:MOSFET -60V Dual P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9958_F085 | 功能描述:MOSFET Dual P-Ch PowerTrench MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9958F085 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel PowerTrench?? MOSFET |
| FDSAS2062 | 功能描述:标准时钟振荡器 62.5 MHz, 2.5V CMOS SAS2 RoHS:否 制造商:AVX 产品:Standard Clock Oscillators 封装 / 箱体:7 mm x 5 mm 频率:75 MHz 频率稳定性:50 PPM 电源电压:2.5 V 负载电容: 端接类型:SMD/SMT 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C 输出格式:LVDS 尺寸: 封装:Reel 系列: |
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