- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录428 > FDS9953A (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH DUAL 30V 2.9A 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS9953A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V 2.9A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 185pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS9953ADKR |
Typical Characteristics
10
V GS = -10V
-6.0V
3.5
8
-4.5V
3
V GS = -3.5V
2.5
6
-4.0V
2
-4.0V
-4.5V
4
2
-3.5V
-3.0V
1.5
1
-5.0V
-6.0V
-10V
0
0
1
2
3
4
5
0.5
0
2
4
6
8
10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.6
1.4
1.2
1
0.8
I D = -1A
V GS = -10V
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
T A = 25 o C
T A = 125 o C
I D = -0.5 A
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
2
4 6 8
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
6
V DS = -5V
T A = -55 o C
25 o C
10
V GS = 0V
5
4
3
2
125 o C
1
0.1
0.01
T A = 125 o C
25 o C
-55 o C
0.001
1
0
1.5
2
2.5 3 3.5
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
4.5
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS9953A Rev B(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS9958_F085 | MOSFET P-CH DUAL 60A 8-SOIC |
| FDS9958 | MOSFET P-CH 60V DUAL SO-8 |
| FDSS2407 | MOSFET N-CH 62V 3.3A 8-SOIC |
| FDT3612 | MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223 |
| FDT3N40TF | MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS9953A_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9958 | 功能描述:MOSFET -60V Dual P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9958_F085 | 功能描述:MOSFET Dual P-Ch PowerTrench MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9958F085 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel PowerTrench?? MOSFET |
| FDSAS2062 | 功能描述:标准时钟振荡器 62.5 MHz, 2.5V CMOS SAS2 RoHS:否 制造商:AVX 产品:Standard Clock Oscillators 封装 / 箱体:7 mm x 5 mm 频率:75 MHz 频率稳定性:50 PPM 电源电压:2.5 V 负载电容: 端接类型:SMD/SMT 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C 输出格式:LVDS 尺寸: 封装:Reel 系列: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。