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参数资料
| 型号： | FDS9933A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS9933ADKR |
Typical Characteristics
(continued)
20
15
V G S = -4.5V
-3. 5V
-3.0V
-2.5V
0 . 12
0. 1
V GS = -2 . 0 V
-2 . 5 V
10
-2.0V
0 . 08
-3 . 0 V
-3 . 5 V
5
-1.5V
0 . 06
-4 . 5 V
0
0
1
2
3
4
5
0 . 04
0
4
8
12
16
20
- V DS , D R AI N-S OU R CE VOLTA GE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1 .6
I D = -3. 8A
- I D , D RA I N C U RR EN T (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.25
I D = -2.0 A
1 .4
1 .2
V GS = -4 .5V
0.2
0.15
1
0 .8
0.1
0.05
T J = 1 2 5 ° C
25°C
0 .6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
10
T J , JUNCT ION TEMPERATURE (° C)
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
- V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
V DS = -5V
T J = -55°C
125° C
V GS = 0V
8
6
4
25°C
1
0.1
0.01
T J = 125 °C
25 °C
-55 °C
2
0.001
0
1
1.5 2 2.5
-V GS , GATE T O SOURCE VOLTAGE (V)
3
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
, BOD Y D I OD E FOR W AR D VOLT AGE (V )
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDS9933A Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS9933A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS9933A_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9933BZ | 功能描述:MOSFET -20V 2.5V Dual P-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9934C | 功能描述:MOSFET 20V Complementary PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9934C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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