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参数资料
| 型号： | FDS9933BZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.9A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 4.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 985pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS9933BZDKR |
March 2008
FDS9933BZ
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench ? MOSFET
-20V, -4.9A, 46m ?
tm
Features
Max r DS(on) = 46m ? at V GS = -4.5V, I D = -4.9A
Max r DS(on) = 69m ? at V GS = -2.5V, I D = -4.0A
Low gate charge (11nC typical).
High performance trench technology for extremely low r DS(on).
HBM ESD protection level >3kV (Note 3).
RoHS Compliant
General Description
These P-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced using
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench ? process
that has been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain low gate charge for superior
switching performance.
These devices are well suited for portable electronics
applications: load switching and power management, battery
charging and protection circuits.
Applications
Battery Charging
Load Switching
D2
D1
D2
D2
5
4
G2
D1
G2
D2
D1
6
7
Q1
Q2
3
2
S2
G1
G1
S2
D1
8
Q1
Q2
1
S1
Pin 1
S1
SO-8
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
-20
±12
Units
V
V
I D
Drain Current
-Continuous
-Pulsed
T A = 25°C
(Note 1a)
-4.9
-30
A
P D
T J , T STG
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 1a)
(Note 1b)
1.6
0.9
-55 to +150
W
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
40
78
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS9933BZ
Device
FDS9933BZ
Package
SO-8
Reel Size
330mm
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS9933BZ Rev.C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS9934C | MOSFET N/P-CH DUAL 20V 8SOIC |
| FDS9945 | MOSFET N-CH 60V 3.5A SO-8 |
| FDS9953A | MOSFET P-CH DUAL 30V 2.9A 8SOIC |
| FDS9958_F085 | MOSFET P-CH DUAL 60A 8-SOIC |
| FDS9958 | MOSFET P-CH 60V DUAL SO-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS9934C | 功能描述:MOSFET 20V Complementary PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9934C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS9936 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDS9936A | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9945 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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