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参数资料
| 型号： | FDS9933BZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.9A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 4.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 985pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS9933BZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
4.5
4.0
I D = -4.9A
3000
3.5
3.0
2.5
V DD = -5V
V DD = -10V
1000
C iss
C oss
2.0
1.5
V DD = -15V
100
C rss
1.0
0.5
0.0
f = 1MHz
V GS = 0V
0
2
4
6
8
10
12
10
Q g , GATE CHARGE(nC)
0.1
1
10
20
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 7. Gate Charge Characteristics
10
5
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
10
10
8
6
4
3
2
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 0V
10
10
10
10
10
4
2
T J = 125 o C
T J = 25 o C
1
0
-1
-2
-3
T J = 125 o C
T J = 25 o C
10
1
0.01
0.1
1
10
30
-4
0
4
8
12
16
50
10
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
100 μ s
1ms
100
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Gate Leakage Current
vs Gate to Sourse Voltage
V GS = -10V
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
10ms
100ms
1s
10s
10
SINGLE PULSE
R θ JA = 135 o C/W
T A = 25 o C
DC
1
R θ JA = 135 o C/W
T A = 25 o C
10
10
10
10
10
0.01
0.1
1 10
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
50
0.5
-3
-2
-1 0
t, PULSE WIDTH (s)
1
100
1000
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS9933BZ Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS9934C | MOSFET N/P-CH DUAL 20V 8SOIC |
| FDS9945 | MOSFET N-CH 60V 3.5A SO-8 |
| FDS9953A | MOSFET P-CH DUAL 30V 2.9A 8SOIC |
| FDS9958_F085 | MOSFET P-CH DUAL 60A 8-SOIC |
| FDS9958 | MOSFET P-CH 60V DUAL SO-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS9934C | 功能描述:MOSFET 20V Complementary PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9934C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS9936 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDS9936A | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9945 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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