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参数资料
| 型号： | FDS9431A_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 405pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS9431A_F085DKR |
February 20 10
FDS9431A _F085
P-Channel 2.5V Specified MOSFET
General Description
Features
tm
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced
using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS
technology. This very high density process has been
especially tailored to minimize on-state resistance and
yet maintain superior switching performance.
Applications
?
?
?
-3.5 A, -20 V. R DS(ON) = 0.130 ? @ V GS = -4.5 V
R DS(ON) = 0.180 ? @ V GS = -2.5 V.
Fast switching speed.
High density cell design for extremely low R DS(ON) .
?
?
?
?
DC/DC converter
Power management
Load switch
Battery protection
?
?
?
High power and current handling capability.
Qualified to AEC Q101
RoHS Compliant
D
D
D
D
5
6
4
3
7
2
SO-8
S
S
S
G
8
1
T A =25 C unless otherwise noted
Absolute Maximum Ratings
o
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
-20
± 8
Units
V
V
I D
Drain Current
- Continuous
(Note 1a)
-3.5
A
- Pulsed
-18
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
2.5
W
(Note 1b)
(Note 1c)
1.2
1.0
T J , T stg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R q JA
R q JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
50
25
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS9431A
Device
FDS9431A _F085
Reel Size
13’’
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
?20 10 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS 9431A_F085 Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS9431A | MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC |
| FDS9435A | MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC |
| FDS9926A | MOSFET N-CH DUAL 20V 6.5A 8SOIC |
| FDS9933A | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8SOIC |
| FDS9933BZ | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.9A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS9435A | 功能描述:MOSFET SO-8 SGL P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9435A_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 SGL P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9435A-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS9435A Series 30 V 50 mOhm P-Channel PowerTrench Mosfet - SOIC-8 |
| FDS9926A | 功能描述:MOSFET SO-8 SGL N-CH 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS9926A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8 |
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