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参数资料
| 型号： | FDS9431A_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 405pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS9431A_F085DKR |
Typical Characteristics
10
2
V GS = -4.5V
-3.5V
8
6
-2.5V
1.8
1.6
V GS = -2.0V
-2.5
4
-2.0V
1.4
1.2
-3.0
-3.5
2
0
-1.5V
1
-4.0
-4.5
0
1
2
3
4
5
0.8
0
2
4
6
8
10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D = -1.6A
V GS = -4.5V
1.4
1.2
1
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.5
I D = -0.8A
0.4
0.3
T J = 125 ° C
0.2
0.8
0.6
0.1
0
25 ° C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
-V
GS
,GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
V DS = -5V
T A = -55 ° C
25 ° C
V GS = 0V
8
125 ° C
1
T J = 125 ° C
6
4
2
0
0.1
0.01
0.001
0.0001
25 ° C
-55 ° C
0
1
2
3
4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDS 9431A _F085 Rev. A
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDS9926A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8 |
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