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参数资料
| 型号： | FDT457N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.9nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 235pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDT457NDKR |
August 1998
FDT457N
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high
cell density, DMOS technology. This very high density
process is especially tailored to minimize on-state resistance,
provide superior switching performance. These products are
well suited to low voltage, low current applications such as
notebook computer power management, battery powered
circuits, and DC motor control.
Features
5 A, 30 V. R DS(ON) = 0.06 ? @ V GS = 10 V
R DS(ON) = 0.090 ? @ V GS = 4.5 V.
High density cell design for extremely low R DS(ON) .
High power and current handling capability in a widely used
surface mount package.
SuperSOT TM -3
D
SuperSOT TM -6
SuperSOT TM -8
D
D
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D
S
S
SOT-223
G
D
G
D
S
SOT-223 *
(J23Z)
G
G
S
Absolute Maximum Ratings
T A = 25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage - Continuous
FDT457N
30
±20
Units
V
V
I D
Maximum Drain Current - Continuous
(Note 1a)
5
A
- Pulsed
16
P D
Maximum Power Dissipation
(Note 1a)
3
W
(Note 1b)
(Note 1c)
1.3
1.1
T J ,T STG
Operating and Storage Temperature Range
-65 to 150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
42
12
°C/W
°C/W
* Order option J23Z for cropped center drain lead.
? 1998 Fairchild Semiconductor Corporation
FDT457N Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDT458P | MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223 |
| FDT86102LZ | MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223 |
| FDT86106LZ | MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 |
| FDT86113LZ | MOSFET N-CH 100V DUAL LL SOT-223 |
| FDT86244 | MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDT457NJ23Z | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223 |
| FDT458P | 功能描述:MOSFET 30V P-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDT458P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDT459N | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDT459NJ23Z | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | SOT-223 |
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