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参数资料
| 型号： | FDT458P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 3.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 205pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDT458PDKR |
June 2001
FDT458P
30V P-Channel PowerTrench ? MOSFET
General Description
This P-Channel MOSFET has been designed
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional
switching PWM controllers, and battery chargers.
These MOSFETs feature faster switching and lower
gate charge than other MOSFETs with comparable
R DS(ON) specifications.
Applications
? Battery chargers
? Motor drives
D
D
S
Features
? 3.4 A, –30 V. R DS(ON) = 130 m ? @ V GS = 10 V
R DS(ON) = 200 m ? @ V GS = 4.5 V
? Fast switching speed
? Low gate charge (2.5 nC typical)
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
? High power and current handling capability in a
widely used surface mount package
D
D
S
SOT-223
G
D
G
D
S
SOT-223 *
(J23Z)
G
G
S
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
– 30
± 20
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
3.4
A
– Pulsed
10
P D
Maximum Power Dissipation
(Note 1a)
3.0
W
(Note 1b)
(Note 1c)
1.3
1.1
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ J C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
42
12
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
458P
Device
FDT458P
Reel Size
13’’
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
? 2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDT458P Rev. B(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDT86102LZ | MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223 |
| FDT86106LZ | MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 |
| FDT86113LZ | MOSFET N-CH 100V DUAL LL SOT-223 |
| FDT86244 | MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223 |
| FDT86246 | MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDT458P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDT459N | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDT-500A | 制造商:MERRIMAC 制造商全称:MERRIMAC 功能描述:FREQUENCY DOUBLERS |
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