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参数资料
| 型号： | FDT458P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 3.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 205pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDT458PDKR |
Typical Characteristics
10
V GS = -10V
-6.0V -5.0V
2
8
V
-4.5V
1.8
V GS =-4.5V
1.6
6
-4.0V
1.4
-5.0V
4
-3.5V
1.2
-6.0V
-7.0V
-8.0V
2
0
-3.0V
1
0.8
-10V
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.7
I D = -3.4A
V GS = -10V
1.5
1.3
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.55
I D = -1.7A
0.45
0.35
1.1
0.9
0.7
0.25
0.15
0.05
T A = 25 o C
T A = 125 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2
4
6
8
10
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
V DS = -5V
T A = -55 o C
25 o C
V GS =0V
4
3
2
1
125 o C
1
0.1
0.01
0.001
T A = 125 o C
25 o C
-55 o C
0
1.5
2
2.5 3 3.5
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDT458P Rev. B(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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