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参数资料
| 型号： | FDT458P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 3.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 205pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDT458PDKR |
Typical Characteristics
10
300
8
I D = -3.4A
V DS = -5V
-15V
-10V
250
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
200
6
150
4
2
100
50
C OSS
0
0
C RSS
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
200
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
1m
100 μ s
160
R θ J A = 110 o C / W
T A = 25 o C
10ms
100ms
120
1
1s
0.1
V GS = -10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 110 o C/W
DC
10s
80
40
T A = 25 o C
0.01
0
0.1
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V D S , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
0.1
0.1
0.05
0.02
R θ JA = 110 °C/W
P(pk)
0.01
0.01
t 1
t 2
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDT458P Rev. B(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDT458P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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| FDT-500A | 制造商:MERRIMAC 制造商全称:MERRIMAC 功能描述:FREQUENCY DOUBLERS |
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