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参数资料
| 型号： | FDT86113LZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V DUAL LL SOT-223 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 3.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 315pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
I D = 3.3 A
400
8
V DD = 50 V
100
C iss
6
4
2
V DD = 25 V
V DD = 75 V
10
f = 1 MHz
C oss
V GS = 0 V
C rss
0
0
1
2
3
4
5
1
0.1
1
10
100
10
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
7
-1
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
-2
V DS = 0 V
10
10
6
5
-3
-4
10
T J = 25 o C
-5
T J = 125 o C
10
4
T J = 100 o C
-6
10
3
-7
T J = 25 o C
10
10
2
T J
= 125 o C
-8
-9
10
1
0.01
0.1
1
2
-10
0
5
10
15
20
25
30
35
8
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Gate Leakage Current vs Gate to
Source Voltage
20
10
6
V GS = 10 V
1
100 us
1 ms
4
Limited by package
V GS = 4.5 V
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
10 ms
100 ms
0.1
SINGLE PULSE
2
T J = MAX RATED
1s
R T JC = 12 C/W
0
25
50
o
75
100
125
150
0.01
0.1
R T JA = 118 o C/W
T A = 25 o C
1
10
10 s
DC
100
400
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
o
Figure 11. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Forward Bias Safe
Operating Area
FDT86113LZ Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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