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参数资料
| 型号： | FDT86246 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 236 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 215pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
500
I D = 2 A
V DD = 50 V
C iss
8
100
6
4
V DD = 75 V
V DD = 100 V
10
C oss
C rss
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
7
6
5
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
5
T J = 25 o C
4
R θ JC = 12 C/W
4
3
2
T J = 125 o C
T J = 100 o C
3
2
1
o
V GS = 6 V
V GS = 10 V
1
0.001
0.01
0.1
1
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
10
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
300
SINGLE PULSE
1
THIS AREA IS
100 μ s
1 ms
100
R θ JA = 118 o C/W
T A = 25 o C
0.1
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
10 ms
100 ms
10
10
10
10
T J = MAX RATED
R θ JA = 118 o C/W
0.01 T A = 25 o C
0.005
0.1 1
10
100
1s
10 s
DC
500
1
0.5 -4
10
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDT86246 Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| FDT86256 | 功能描述:MOSFET 150V NCh MOSFET PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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