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参数资料
| 型号： | FDU8878 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 40A I-PAK |
| 产品目录绘图： | I-PAK, I2PAK Pkg |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 880pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
Test Circuits and Waveforms
V DS
BV DSS
L
t P
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
R G
+
V DD
I AS
V DD
V GS
DUT
-
0V
t P
I AS
0.01 ?
0
t AV
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
V DS
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
V DD
Q g(TOT)
L
V DS
V GS
V GS = 10V
V GS
+
Q g(5)
-
V DD
Q gs2
V GS = 5V
DUT
I g(REF)
V GS = 1V
0
Q g(TH)
I g(REF)
0
Q gs
Q gd
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveforms
V DS
R L
V DS
t ON
t d(ON)
90%
t r
t OFF
t d(OFF)
t f
90%
V GS
+
-
V DD
0
10%
10%
R GS
DUT
90%
V GS
50%
50%
V GS
0
10%
PULSE WIDTH
Figure 19. Switching Time Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveforms
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD8878 / FDU8878 Rev. A 4
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDU8882 | MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK |
| FDU8896 | MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK |
| FDV301N_NB9V005 | MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 |
| FDV302P_D87Z | MOSFET P-CH 25V 0.12A SOT-23 |
| FDV303N_NB9U008 | MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDU8878_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 40A, 15m ohm |
| FDU8880 | 功能描述:MOSFET 30V 58A 10 OHM NCH PWR TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU8880_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDU8882 | 功能描述:MOSFET 30V 55A 11 OHM NCH PWR TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU8882_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
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