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参数资料
| 型号： | FDV301N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 欧姆 @ 400mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.06V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9.5pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDV301NDKR |
Typical Electrical And Thermal Characteristics
5
30
4
I D = 0.2A
V DS = 5V
10V
20
3
2
15V
10
5
3
2
f = 1 MHz
C iss
C oss
1
1
V GS = 0V
C rss
0
0 .1
0 .5
1
2
5
10
25
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
DS
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
1
Figure 8. Capacitance Characteristics .
5
0m
0 .5
0 .2
R
DS
(
ON
)L
IM
IT
1s
10
1m
s
s
4
3
SINGLE PULSE
R θ JA =357° C/W
T A = 25°C
0 .1
10
s
2
0 .0 5
0 .0 2
V GS = 2.7V
SINGLE PULSE
R θ J A = 357 °C/ W
T A = 25°C
DC
1
0 .0 1
0 .5
1
2
5
10
15
25
35
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
V
DS
, DRAI N -SOURCE VOLTAGE (V)
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
1
0.5
0.2
D = 0.5
0 .2
0.1
0.05
0.02
0 .1
0 .05
0 .02
P(pk)
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 357 °C/W
θ JA
0.01
0.005
0.01
Single Pulse
t 1
T J - T A
t 2
= P * R (t)
0.002
0.001
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIM E (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve .
FDV301N Rev.F 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XPGWHT-P1-R250-00AF8 | LED WARM WHITE XLAMP CLR SMD |
| 552S2S72 | CBL STR FMALE-R/A FMALE 2POS 6' |
| XPGWHT-P1-R250-00BE7 | LED WARM WHITE XLAMP CLR SMD |
| 465S144 | CABLE R/A SGL-END FMALE 5POS 12' |
| MLCSWT-A1-0000-000WE7 | LED HIGH BRIGHTNESS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDV301N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N DIGITAL SOT-23 |
| FDV301N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:25V N-CH. FET 4 O SOT23 |
| FDV301N_D87Z | 功能描述:MOSFET 25V N-Ch FET 4 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDV301N_NB9V005 | 功能描述:MOSFET N-Ch Digital Automotive Spec RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDV301N_NB9V008 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:25 V, 0.22 A N-Chan Digital FET |
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