型号: | FDV302 |
厂商: | Fairchild Semiconductor Corporation |
英文描述: | Digital FET, P-Channel |
中文描述: | 数字场效应管,P沟道 |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 63K |
代理商: | FDV302 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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FDV302P | Digital FET, P-Channel |
FDV303 | Digital FET, N-Channel |
FDV303N | Digital FET, N-Channel |
FDV304 | Digital FET, P-Channel |
FDV304P | Digital FET, P-Channel |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FDV302P | 功能描述:MOSFET Digital FET P-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDV302P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P DIGITAL SOT-23 |
FDV302P_D87Z | 功能描述:MOSFET Digital FET P-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDV302P_NB8V001 | 功能描述:MOSFET Digital FET P-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDV302P_Q | 功能描述:MOSFET Digital FET P-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |