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参数资料
| 型号： | FDV305N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 900mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 220 毫欧 @ 900mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 109pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDV305NDKR |
January 2003
FDV305N
20V N-Channel PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This 20V N-Channel MOSFET uses Fairchild’s high
voltage PowerTrench process. It has been optimized for
power management applications.
? 0.9 A, 20 V
R DS(ON) = 220 m ? @ V GS = 4.5 V
R DS(ON) = 300 m ? @ V GS = 2.5 V
Applications
? Low gate charge
?
?
?
Load switch
Battery protection
Power management
D
S
? Fast switching speed
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
D
SOT-23
G
G
S
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
20
± 12
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
0.9
A
– Pulsed
2
P D
T J , T STG
Maximum Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
0.35
–55 to +150
W
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
357
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
305
Device
FDV305N
Reel Size
7’’
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
? 200 3 Fairchild Semiconductor Corporation
FDV305N Rev D (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDY1002PZ | MOSFET P-CH DUAL 20V SC89-6 |
| FDY100PZ | MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89 |
| FDY101PZ | MOSFET P-CH 20V 150MA SC-89 |
| FDY102PZ | MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 |
| FDY2000PZ | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-563F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDV305N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDV305N_NF40 | 功能描述:MOSFET 20V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDV305N_Q | 功能描述:MOSFET 20V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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