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参数资料
| 型号： | FDY1002PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V SC89-6 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SC89-6 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 830mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 830mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 135pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 446mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SC-89 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDY1002PZDKR |
FDY1002PZ
Dual P-Channel ( – 1.5 V) Specified PowerTrench ? MOSFET
–20 V, –0.83 A, 0.5 ?
October 2008
Features
Max r DS(on) = 0.5 ? at V GS = –4.5 V, I D = –0.83 A
Max r DS(on) = 0.7 ? at V GS = –2.5 V, I D = –0.70 A
Max r DS(on) = 1.2 ? at V GS = –1.8 V, I D = –0.43 A
Max r DS(on) = 1.8 ? at V GS = –1.5 V, I D = –0.36 A
HBM ESD protection level = 1400 V (Note 3)
RoHS Compliant
6
General Description
This Dual P-Channel MOSFET has been designed using
Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process to
optimize the r DS(on) @V GS = –1.5 V.
Application
Li-Ion Battery Pack
5
4
S 1 1
G 1 2
6 D 1
5 G 2
1
2
3
SC89-6
D 2 3
4 S 2
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
–20
±8
Units
V
V
I D
P D
T J , T STG
Drain Current -Continuous
-Pulsed
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 1b)
–0.83
–1.0
0.625
0.446
–55 to +150
A
W
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
200
280
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
G
Device
FDY1002PZ
Package
SC89-6
Reel Size
7”
Tape Width
8 mm
Quantity
3000 units
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDY1002PZ Rev.B1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDY100PZ | MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89 |
| FDY101PZ | MOSFET P-CH 20V 150MA SC-89 |
| FDY102PZ | MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 |
| FDY2000PZ | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-563F |
| FDY3000NZ | MOSFET N-CH DUAL SC89 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDY100PZ | 功能描述:MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY101PZ | 功能描述:MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY102PZ | 功能描述:MOSFET -20V Sngle PCh -1.5V Specified PowerTrnch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY2000PZ | 功能描述:MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY2001PZ | 功能描述:MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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