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参数资料
| 型号： | FDY1002PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V SC89-6 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SC89-6 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 830mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 830mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 135pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 446mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SC-89 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDY1002PZDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
5
4
3
I D = -0.83 A
V DD = -8 V
V DD = -10 V
500
100
C iss
C oss
2
1
V DD = -12 V
10
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
0.1
1
10
20
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Q g , GATE CHARGE (nC)
10
Figure 7. Gate Charge Characteristics
5
2
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 0 V
1
1 ms
10
3
10 ms
10
10
R θ JA = 280 C/W
1
-1
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
o
T A = 25 o C
100 ms
1s
10 ms
DC
10
-3
0
3
6
9
12
15
0.01
0.1
1
10
60
R θ JA = 280 C/W
-V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Gate Leakage Current
vs Gate to Source Voltage
30
V GS = -4.5 V
10
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
SINGLE PULSE
o
T A = 25 C
o
1
0.2
10
10
10
10
10
-3
-2
-1
0
1
100
1000
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
FDY1002PZ Rev.B1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDY100PZ | MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89 |
| FDY101PZ | MOSFET P-CH 20V 150MA SC-89 |
| FDY102PZ | MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 |
| FDY2000PZ | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-563F |
| FDY3000NZ | MOSFET N-CH DUAL SC89 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDY100PZ | 功能描述:MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY101PZ | 功能描述:MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY102PZ | 功能描述:MOSFET -20V Sngle PCh -1.5V Specified PowerTrnch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY2000PZ | 功能描述:MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY2001PZ | 功能描述:MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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