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参数资料
| 型号： | FDY1002PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V SC89-6 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SC89-6 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 830mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 830mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 135pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 446mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SC-89 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDY1002PZDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
1.0
4.5
0.8
0.6
0.4
V GS = -4.5 V
V GS = -2.5 V
V GS = -2.0 V
V GS = -1.8 V
V GS = -1.5 V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
V GS = -1.5 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = -1.8 V
V GS = -2.0V
V GS = -2.5 V
0.2
PULSE DURATION = 80 μ s
1.5
1.0
0.0
0.0
0.5
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.0 1.5
2.0
0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
V GS = -4.5 V
2.0
2.5
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.6
I D = -0.83 A
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
2.0
PULSE DURATION = 80 μ s
1.4
V GS = -4.5 V
1.6
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = -0.415 A
1.2
1.0
1.2
0.8
0.8
0.4
T J = 125 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T J = 25 o C
3.5
4.0
4.5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
1.0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0.8
V DS = -5 V
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
1
V GS = 0 V
T J = 125 o C
0.1
0.6
0.4
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.2
0.0
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.01
0.001
T J = -55 o C
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDY1002PZ Rev.B1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDY100PZ | MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89 |
| FDY101PZ | MOSFET P-CH 20V 150MA SC-89 |
| FDY102PZ | MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 |
| FDY2000PZ | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-563F |
| FDY3000NZ | MOSFET N-CH DUAL SC89 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDY100PZ | 功能描述:MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY101PZ | 功能描述:MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY102PZ | 功能描述:MOSFET -20V Sngle PCh -1.5V Specified PowerTrnch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY2000PZ | 功能描述:MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY2001PZ | 功能描述:MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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