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参数资料
| 型号： | FDZ391P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP |
| 产品目录绘图： | 6-WL-CSP Package |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1065pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装： | 6-WLCSP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDZ391PDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
5
I D = -1 A
2000
4
3
2
V DD = -5 V
V DD = -10 V
V DD = -15 V
1000
C iss
C oss
1
100
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
2
4
6
8
10
12
50
0.1
1 10
20
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
4
30
10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
3
V GS = -4.5 V
1
100 us
1 ms
2
THIS AREA IS
10 ms
R θ JA = 65 C/W
T A = 25 C
1
V GS = - 2.5 V
o
0.1
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 133 o C/W
o
100 ms
1s
10 s
DC
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
60
T A , CASE TEMPERATURE ( C )
o
Figure 9. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
50
10
-V S , SOURCE1 TO SOURCE2 VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
V GS = -10 V
T A = 25 C
SINGLE PULSE
R θ JA = 133 o C/W
o
1
10
10
10
0.5
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
FDZ391P Rev.B1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDZ3N513ZT | MOSFET N-CH 30V WLCSP 2X2 |
| FDZ661PZ | MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP |
| FDZ663P | MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP |
| FGA15N120FTDTU | IGBT 1200V 15A TO-3PN |
| FGA180N33ATDTU | IGBT PDP TRENCH 330V 180A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDZ3N513ZT | 功能描述:MOSFET 30V Integrated NMOS and Shottky Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ3N513ZTUCX | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FD-Z40HBW | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:FIBER FLAT DIFFUSE REFLECT R1 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:SENSOR, FIBRE OPTIC, REFLECTIVE, 260MM, Fiber Optic Sensor Type:Reflective, Sensing Range Max:260mm , RoHS Compliant: Yes 制造商:Panasonic Industrial Devices 功能描述:SENSOR, FIBRE OPTIC, REFLECTIVE, 260MM, Fiber Optic Sensor Type:Reflective, Sens |
| FD-Z40W | 制造商:PANASONIC INDUSTRIAL AUTOMATION SALES 功能描述:FIBER DIFFUSE REFLECT FLAT R1 |
| FDZ453P | 功能描述:MOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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