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参数资料
| 型号： | FDZ661PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP |
| 标准包装： | 5,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 555pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-XFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装： | 4-WLCSP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
V GS = -4.5 V
V GS = -3 V
3
6
V GS = -2.5 V
2
V GS = -1.5 V
4
V GS = -1.8 V
V GS = -1.8 V
V GS = -2.5 V
1
2
V GS = -3 V
V GS = -4.5 V
0
0
V GS = -1.5 V PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1 2
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
3
0
0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
2 4 6
- I D , DRAIN CURRENT (A)
8
10
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Normalized On-Resistance vs
Drain Current and Gate Voltage
1.6
I D = -2 A
V GS = -4.5 V
600
I D = -2 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.4
450
1.2
300
1.0
0.8
150
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
0
1.0
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4.0
4.5
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
10
PULSE DURATION = 80 μ s
10
V GS = 0 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
8
V DS = -5 V
1
T J = 150 o C
6
4
T J = 150 o C
0.1
T J = 25 o C
2
T J = 25 o C
-55 o C
T J =
0.01
T J = -55 o C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDZ661PZ Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDZ663P | MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP |
| FGA15N120FTDTU | IGBT 1200V 15A TO-3PN |
| FGA180N33ATDTU | IGBT PDP TRENCH 330V 180A TO-3P |
| FGA20N120FTDTU | IGBT TRENCH 20A 1200V TO-3PN |
| FGA20S120M | IGBT 1200V 40A 348W TO3PN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDZ663P | 功能描述:MOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ7064AS | 功能描述:MOSFET 30V/12V NCh SYNCFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ7064N | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch BGa MOSFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ7064N_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch BGa MOSFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ7064S | 功能描述:MOSFET 30V/12V NCh SYNCFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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