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参数资料
| 型号： | FDZ661PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP |
| 标准包装： | 5,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 555pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-XFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装： | 4-WLCSP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
4.5
2000
I D = -2.5 A
V DD = -8 V
1000
C iss
3.0
1.5
V DD = -10 V
V DD = -12 V
100
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C oss
C rss
0
0
2
4
6
8
10
0.1
1
10
20
10
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
-1
50
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
10
-2
-3
V DS = 0 V
10
100 us
10
10
-4
-5
T J = 125 o C
1
1 ms
10
10
10
10
-6
-7
-8
-9
T J =
25 o C
0.1
0.01
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
R θ JA = 311 o C/W
TA = 25 o C
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
10
-10
0
5
10
15
0.001
0.1
1
10
100
- V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Gate Leakage Current
vs Gate to Source Voltage
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
1000
SINGLE PULSE
R θ JA = 311 C/W
100
o
T A = 25 C
o
10
1
10
10
10
10
0.1
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDZ661PZ Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDZ663P | MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP |
| FGA15N120FTDTU | IGBT 1200V 15A TO-3PN |
| FGA180N33ATDTU | IGBT PDP TRENCH 330V 180A TO-3P |
| FGA20N120FTDTU | IGBT TRENCH 20A 1200V TO-3PN |
| FGA20S120M | IGBT 1200V 40A 348W TO3PN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDZ663P | 功能描述:MOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ7064AS | 功能描述:MOSFET 30V/12V NCh SYNCFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ7064N | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch BGa MOSFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ7064N_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch BGa MOSFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ7064S | 功能描述:MOSFET 30V/12V NCh SYNCFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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