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参数资料
| 型号： | FDZ7064AS |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench SyncFET BGA MOSFET |
| 中文描述： | 13.5 A, 30 V, 0.0056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ULTRA THIN, 3.50 X 4 MM, 0.76 MM HEIGHT, BGA-30 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 599K |
| 代理商： | FDZ7064AS |
4
www.fairchildsemi.com
FDZ7064AS Rev. A
F
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 13.5A
V
DS
= 10V
20V
15V
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
5
10
15
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
10
100
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 119
°
C/W
T
A
= 25
°
C
10ms
1ms
0
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 119
°
C/W
T
A
= 25
°
C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 119
°
C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDZ7064N | 30V N-Channel Logic Level PowerTrench BGA MOSFET |
| FDZ7064S | TERMINAL |
| FDZ7296 | 30V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET |
| FE3C | GLASS PASSIVATED FAST EFFICIENT RECTIFIER |
| FE5A | Glass Passivated Fast Efficient Rectifier(钝化玻璃快速效应整流器) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDZ7064N | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch BGa MOSFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ7064N_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch BGa MOSFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ7064S | 功能描述:MOSFET 30V/12V NCh SYNCFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ7296 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench BGA MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZX2-S4/4 | 制造商:Cooper Bussmann 功能描述:ADAPTR KIT FOR FD800 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:ADAPTER KIT FOR FD800 |
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