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参数资料
| 型号： | FFB20UP30DNTPTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 564K |
| 描述： | DIODE ULT FAST 300V 10A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Dec/2009 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.3V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 300V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 300V |
| 反向恢复时间(trr)： | 45ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FFB20UP30DNTPTMDKR |
1
www.fairchildsemi.com
?2006 Fairchild Semiconductor
Cor
poration
FFB20UP30DN Rev.C1
FFB20UP30DN
—
Ultrafast
Dual
Diode
FFB20UP30DN
20 A, 300 V, Ultrafast Dual Diode
Features
?
Ultrafast Recovery, trr
= 45 ns (@ I
F
= 10 A)
?
Max Forward Voltage, VF
= 1.3 V (@ T
C
= 25°C)
?
Reverse Voltage : VRRM
= 300 V
?
Avalanche Energy Rated
Applications
?
General Purpose
?
SMPS,Welder
?
Free-Wheeling Diode for Motor Application
?
Power Switching Circuits
Absolute Maximum Ratings
TC
= 25°C unless otherwise noted
Thermal Characteristics
Package Marking and Ordering Information
Symbol
Parameter
Ratings
Unit
VRRM
Peak Repetitive Reverse Voltage
300
V
VRWM
Working Peak Reverse Voltage
300
V
VR
DC Blocking Voltage
300
V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current
Rating for each diode IF(AV)/2 @ TC
= 130
°C
20
A
IFSM
Non-repetitive Peak Surge Current
60Hz Single Half-Sine Wave
180
A
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage Temperature
- 65 to +150
°C
Symbol
Parameter
Ratings
Unit
RθJC
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case
2.0
°C/W
1. Anode 2. Cathode 3. Anode
1
2
3
1.Anode 2.Cathode 3.Anode
1
TO-263AB/D2-PAK
November 2013
The FFB20UP30DN is an ultrafast dual diode with low forward
voltage drop and rugged UIS capability. This device is intended
for use as freewheeling and clamping diodes in a variety of
switching power supplies and other power switching applications.
It is specially suited for use in switching power supplies and
industrial applicationa as welder application.
?
RoHS Compliant
Description
Part Number Top Mark Package Packing Method Reel Size Tape Width Quantity
FFB20UP30DNTM
F20UP30DN
D2-PAK
Reel
13" Dia
N/A
800
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 395-056-541-204 | CARD EDGE 56POS DL .100X.200 BLK |
| R0.25D-3.324/P-R | CONV DC/DC 0.25W 3.3V +/-24VOUT |
| IR2113-2PBF | IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16DIP |
| M7OOK-3710J | D-SUB CABLE MFL37K/MC37G/MFL37K |
| R0.25D-3.324/H-R | CONV DC/DC 0.25W 3.3V +/-24VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FFB2222A | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FFB2222A_1 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier |
| FFB2227A | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FFB2227A_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FFB24A0117K-- | 制造商:AVX 制造商全称:AVX Corporation 功能描述:Medium Power Film Capacitors |
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