- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20491 > FFB20UP30DNTPTM (Fairchild Semiconductor)DIODE ULT FAST 300V 10A D2PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FFB20UP30DNTPTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 564K |
| 描述： | DIODE ULT FAST 300V 10A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Dec/2009 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.3V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 300V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 300V |
| 反向恢复时间(trr)： | 45ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FFB20UP30DNTPTMDKR |
3
www.fairchildsemi.com
FFB20UP30DN
—
Ultrafast
Dual
Diode
Typical Performance Characteristics
Figure 3. Typical Forward Voltage Drop
Figure
4. Typical Reverse
Current
Figure 5.
Typical Junction
Capacitance
Figure
6.
Typical Reverse
Recovery Time
Figure
7
. Typical Reverse Recovery
Current
Figure 8. Forward
Current
Deration
C
urve
0.1
0.0
1
10
20
0.5
1.0
1.5
2.0
TC
= 25
oC
TC
= 100
oC
Forward Voltage , VF
[V]
Forward Current , I
F
[A]
0 50 100 150 200 250 300
0.001
0.01
0.1
1
10
TC
= 25
oC
TC
= 100
oC
Reverse Current , I
R
[
μ
A]
Reverse Voltage , VR
[V]
0.1
1
10
100
10
100
400
Typical Capacitance
at 0V = 197. 2 pF
Capacitance , Cj [pF]
Reverse Voltage , VR
[V]
100
200
300 400 500
24
28
32
36
IF
= 10A
Tc = 25oC
Revers
e
Recovery
T
ime
,
T
rr
[ns]
diF/dt [A/μs]
100
200
300 400 500
0
1
2
3
4
5
IF
= 10A
TC
= 25
oC
Reverse Recovery Current , I
rr
[A]
diF/dt [A/μs]
100 110 120 130 140 150
0
2
4
6
8
10
12
14
Average Rectified Forward Current, I
F(AV)
[A]
Case Temperature, TC
[
oC]
DC
?2006 Fairchild Semiconductor
Cor
poration
FFB20UP30DN Rev.C1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 395-056-541-204 | CARD EDGE 56POS DL .100X.200 BLK |
| R0.25D-3.324/P-R | CONV DC/DC 0.25W 3.3V +/-24VOUT |
| IR2113-2PBF | IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16DIP |
| M7OOK-3710J | D-SUB CABLE MFL37K/MC37G/MFL37K |
| R0.25D-3.324/H-R | CONV DC/DC 0.25W 3.3V +/-24VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FFB2222A | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FFB2222A_1 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier |
| FFB2227A | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FFB2227A_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FFB24A0117K-- | 制造商:AVX 制造商全称:AVX Corporation 功能描述:Medium Power Film Capacitors |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。