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参数资料
| 型号： | FFB20UP30DNTPTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 564K |
| 描述： | DIODE ULT FAST 300V 10A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Dec/2009 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.3V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 300V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 300V |
| 反向恢复时间(trr)： | 45ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FFB20UP30DNTPTMDKR |
2
www.fairchildsemi.com
FFB20UP30DN
—
Ultrafast
Dual
Diode
Electrical Characteristics
(per diode) TC
= 25°C unless otherwise noted
*Pulse Test: Pulse Width=300
μs, Duty Cycle=2%
Test Circuit and Waveforms
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max.
Unit
VF
*
IF
= 10
A
IF
= 10
A
TC
= 25
°C
TC
= 150
°C
-
-
-
-
1.3
1.2
V
V
IR
*
VR
= 300
V
VR
= 300
V
TC
= 25
°C
TC
= 150
°C
-
-
-
-
1
500
μA
μA
Trr
IF
=0.5
A, Irr=1
A, VCC = 30
V
IF
=1
A, diF/dt = 100
A/μs, VR
= 30
V IF
=10
A, diF/dt = 200
A/μs, VR
= 195
V
TC
= 25
°C
TC
= 25
°C
TC
= 25
°C
-
-
-
-
-
-
30
35
45
ns
ns
ns
ta
tb
Qrr
IF
=10
A, diF/dt = 200
A/μs, VR
= 195V
TC
= 25
°C
TC
= 25
°C
TC
= 25
°
C
-
-
-
11
13
20
-
-
-
ns
ns
nC
WAVL
Avalanche Energy (L
=
2
0
mH)
20 -
-
mJ
?2006 Fairchild Semiconductor
Cor
poration
FFB20UP30DN Rev.C1
Figure 1. Diode Reverse Recovery Test Circuit & Waveform
Figure 2. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveform
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 395-056-541-204 | CARD EDGE 56POS DL .100X.200 BLK |
| R0.25D-3.324/P-R | CONV DC/DC 0.25W 3.3V +/-24VOUT |
| IR2113-2PBF | IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16DIP |
| M7OOK-3710J | D-SUB CABLE MFL37K/MC37G/MFL37K |
| R0.25D-3.324/H-R | CONV DC/DC 0.25W 3.3V +/-24VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FFB2222A | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FFB2222A_1 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier |
| FFB2227A | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FFB2227A_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FFB24A0117K-- | 制造商:AVX 制造商全称:AVX Corporation 功能描述:Medium Power Film Capacitors |
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