参数资料
型号: FFB20UP30DNTPTM
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/5页
文件大小: 564K
描述: DIODE ULT FAST 300V 10A D2PAK
产品变化通告: Product Discontinuation 03/Dec/2009
标准包装: 1
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.3V @ 10A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1µA @ 300V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 10A
电压 - (Vr)(最大): 300V
反向恢复时间(trr): 45ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D²PAK
包装: 标准包装
其它名称: FFB20UP30DNTPTMDKR
5
www.fairchildsemi.com
FFB20UP30DN
Ultrafast
Dual
Diode
?2006 Fairchild Semiconductor
Cor
poration
FFB20UP30DN Rev.C1
相关PDF资料
PDF描述
395-056-541-204 CARD EDGE 56POS DL .100X.200 BLK
R0.25D-3.324/P-R CONV DC/DC 0.25W 3.3V +/-24VOUT
IR2113-2PBF IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16DIP
M7OOK-3710J D-SUB CABLE MFL37K/MC37G/MFL37K
R0.25D-3.324/H-R CONV DC/DC 0.25W 3.3V +/-24VOUT
相关代理商/技术参数
参数描述
FFB2222A 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FFB2222A_1 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier
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FFB2227A_Q 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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