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参数资料
| 型号： | FFH30US30DN |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 152K |
| 描述： | DIODE DUAL 300V TO-247 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | Stealth™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 30A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 300V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 30A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 300V |
| 反向恢复时间(trr)： | 55ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FFH30US30DN Rev. A1
FFH30US30DN
Typical Performance Curves (per leg)
Figure 1. Forward Current vs Forward Voltage Figure 2. Reverse Current vs Reverse Voltage
Figure 3. ta
and t
b
Curves vs Forward Current Figure 4. t
a
and t
b
Curves vs dI
F/dt
Figure 5. Maximum Reverse Recovery Current vs
Forward Current
Figure 6. Maximum Reverse Recovery Current vs
dIF/dt
0
10
20
30
40
50
60
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
175oC
125oC
1.1
1.0
75oC
25oC
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
, REVERSE CURRENT (μA)
0.01
0.1
1
10
100
1000
50 100 150 200 250 300
125oC
100oC
75
oC
25
oC
150oC
175oC
0
10
20
30
40
50
60
0 102030405060
IF
, FORWARD CURRENT (A)
t, RECOVERY TIMES (ns)
tb
at dI
F/dt = 200A/μs, 500A/μs, 800A/μs
ta
at dI
F/dt = 200A/μs, 500A/μs, 800A/μs
VR
= 195V, T
C
= 125
oC
dIF
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
t, RECOVERY TIMES (ns)
tb
at I
F
= 60A, 30A, 15A
0
10
20
30
40
50
70
ta
at I
F
= 60A, 30A, 15A
VR
= 195V, T
C
= 125
oC
60
0 200 400 600 800 1000 1200
IF, FORWARD CURRENT (A)
dIF/dt = 800A/μs
dIF/dt = 500A/μs
I
RM(REC)
, MAX REVERSE RECOVERY CURRENT (A)
dIF/dt = 200A/μs
VR
= 195V, T
C
= 125
oC
0 102030405060
0
5
10
15
20
25
35
30
dIF
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
IF
= 60A
IF
= 15A
I
RM(REC)
, MAX REVERSE RECOVERY CURRENT (A)
IF
= 30A
VR
= 195V, T
C
= 125
oC
5
10
15
20
25
30
40
35
200 400 600 800 1000 1200
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