参数资料
型号: FFH30US30DN
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 4/6页
文件大小: 152K
描述: DIODE DUAL 300V TO-247
标准包装: 150
系列: Stealth™
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1V @ 30A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 300V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 30A
电压 - (Vr)(最大): 300V
反向恢复时间(trr): 55ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-247AD
包装: 管件
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FFH30US30DN Rev. A1
FFH30US30DN
Figure 7. Reverse Recovery Softness Factor vs
dIF/dt
Figure 8. Reverse Recovery Charge vs dIF/dt
Figure 9. Junction Capacitance vs Reverse Voltage
Figure 10. Maximum Reverse Recovery Current
and trr
vs Case
Temperature
Figure 11. DC CURRENT DERATING CURVE
Typical Performance Curves (per leg)
(Continued)
dIF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
S, REVERSE RECOVERY SOFTNESS FACTOR
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
IF
= 60A, 30A, 15A
VR
= 195V, T
C
= 125
oC
0 200 400 600 800 1000 1200
dIF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
Q
RR
, REVERSE RECOVERED CHARGE (μC)
IF
= 15A
IF
= 30A
VR
= 195V, T
C
= 125
oC
200 400 600 800 1000 1200
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
IF
= 60A
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
C
J
, JUNCTION CAPACITANCE (pF)
0
200
400
600
800
1000
1200
0.1 1 10 100
0.03
1400
1600
f = 1MHZ
t, RECOVERY TIMES (ns)
25 50 75 100 125 175150
TC, CASE TEMPERATURE (oC)
I
RM(REC)
, MAX REVERSE RECOVERY CURRENT (A)
IRM(REC)
tRR
IF
= 30A, V
R
= 195V, dI
F/dt = 600A/usec
-28
-26
-24
-22
-20
-18
-16
-14
-12
30
35
40
45
50
55
60
65
70
5
0
162 176164
166 168 172170
174
10
15
20
TC, CASE TEMPERATURE (oC)
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
160
158
35
30
25
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