参数资料
型号: FFH30US30DN
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 152K
描述: DIODE DUAL 300V TO-247
标准包装: 150
系列: Stealth™
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1V @ 30A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 300V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 30A
电压 - (Vr)(最大): 300V
反向恢复时间(trr): 55ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-247AD
包装: 管件
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FFH30US30DN Rev. A1
FFH30US30DN
Figure 12. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Typical Performance Curves (per leg)
(Continued)
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10-5
10-2
10-1
Z
θ
JA
,
NORMALIZED
THERMAL IMPEDANCE
0.01
10-4
10-3
SINGLE PULSE
100
0.1
101
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t1/t2
PEAK TJ
= P
DM
x Z
θJA
x R
θJA
+ T
A
PDM
t1
t2
1.0
Test Circuit and Waveforms
Figure 13. trr
Test Circuit
Figure 14. trr
Waveforms and Definitions
Figure 15. Avalanche Energy Test Circuit
Figure 16. Avalanche Current and Voltage
Waveforms
RG
L
V
-
DD
MOSFET
CURRENT
SENSE
DUT
VGE
t1
t2
VGE
AMPLITUDE AND
t1 AND t2 CONTROL IF
RG
CONTROL dI
F/dt
+
dt
dIF
IF
trr
ta
tb
0
IRM
0.25 IRM
DUT
CURRENT
SENSE
+
LR
VDD
R < 0.1?
EAVL = 1/2LI2
[V
R(AVL)/(VR(AVL)
- V
DD)]
Q1 = IGBT (BVCES
> DUT V
R(AVL))
-
VDD
Q1
I = 1A
L = 40mH
VDD
= 50V
IV
t0
t1
t2
IL
VAVL
t
IL
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