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参数资料
| 型号： | FFPF08H60STU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 385K |
| 描述： | IC DIODE HYPERFAST 600V TO220F-2 |
| 产品目录绘图： | Power Diode Circuit |
| 标准包装： | 50 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.1V @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 45ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1614 (CN2011-ZH PDF) |
 2 www.fairchildsemi.com FFPF08H60S — Hyperfast II Diode Electrical Characteristics TC = 25°C unless otherwise noted Notes: 1. Pulse : Test Pulse width = 300 μs, Duty Cycle = 2% Test Circuit and Waveforms Parameter Conditions Min. Typ. Max Unit VF1 IF = 8 A IF = 8 A TC = 25 °C TC = 125 °C - - - - 2.1 1.7 V V IR1 VR = 600 V VR = 600 V TC = 25 ° C TC = 125 °C - - - - 100 200 μA μA trr IF =1 A, diF/dt = 100 A/μs, V R = 30 V IF =8 A, diF/dt = 100 A/μs, V R = 390 V TC = 25 °C TC = 25 °C - - - - 35 45 ns ns ta tb Qrr IF =8 A, diF/dt = 100 A/μs, V R = 390 V TC = 25 °C TC = 25 °C TC = 25 ° C - - - 15 16 18.6 - - - ns ns nC WAVL Avalanche Energy (L = 40 mH) 20 - - mJ ?2007 Fairchild Semiconductor Cor poration FFPF08H60S R ev. C1 Figure 1. Diode Reverse Recovery Test Circuit & Waveform Figure 2. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveform |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FFPF08S60SNTU | 功能描述:整流器 8A 600V STEALTH II RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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