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参数资料
| 型号： | FFPF08H60STU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 385K |
| 描述： | IC DIODE HYPERFAST 600V TO220F-2 |
| 产品目录绘图： | Power Diode Circuit |
| 标准包装： | 50 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.1V @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 45ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1614 (CN2011-ZH PDF) |
 3 www.fairchildsemi.com FFPF08H60S — Hyperfast II Diode Typical Performance Characteristics TC = 25°C unless otherwise noted Figure 3. Typical Forward Voltage Drop Figure 4. Typical Reverse Current Figure 5. Typical Junction Capacitance Figure 6. Typical Reverse Recovery Time Figure 7. Typical Reverse Recovery Current Figure 8. Forward Current Deration C urve 0.1 012345 1 10 100 TC=150oC TC=100oC F O RW ARD CURRENT, I F [A] FORWARD VOLTAGE, VF [V] TC=25oC 0 100 200 300 400 500 600 1E-3 0.01 0.1 1 10 100 TC=125oC REVERSE CURRENT , I R [ μ A] REVERSE VOLTAGE, VR [V] TC=25oC 1 10 100 0 20 40 60 80 JUNCTION CAPACITANCE, C J [pF] REVERSE VOLTAGE, VR [V] f=1MHz 100 200 300 400 500 600 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 TC=125oC REVERSE RECOVERY TIME, T rr [n s] diF/dt [A/μs] TC=25oC IF=8A 100 200 300 400 500 600 0 2 4 6 8 10 12 14 REVERSE RECOVERY CURRENT, I rr [A] diF/dt [A/μs] TC=125oC TC=25oC IF=8A 80 90 100 110 120 130 140 150 0 2 4 6 8 10 AVERAG E RECTIF IED FOR W ARD CURRENT , I F(AV) [A] CASE TEMPERATURE, TC [ oC] DC ?2007 Fairchild Semiconductor Cor poration FFPF08H60S R ev. C1 |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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