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参数资料
| 型号： | FGA25N120ANTD |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 1200V NPT Trench IGBT |
| 中文描述： | 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 867K |
| 代理商： | FGA25N120ANTD |
3
www.fairchildsemi.com
FGA25N120ANTD Rev. B
F
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 25A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
--
2.0
3.0
V
--
2.1
--
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 25A
dI/dt = 200 A/
μ
s
--
235
350
ns
--
300
--
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery Cur-
rent
--
27
40
A
--
31
--
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
--
3130
4700
nC
--
4650
--
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA25N120AND | IGBT |
| FGA25N12ANTD | 1200V NPT Trench IGBT |
| FGA50N60LS | IGBT |
| FGAF40N60UFD | Ultrafast IGBT |
| FGC4000BX-90DS | HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGA25N120ANTD_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT |
| FGA25N120ANTD_F109 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT |
| FGA25N120ANTDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 Copak Discrete RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA25N120ANTDTU_F109 | 功能描述:IGBT 晶体管 Copak Discrete RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA25N120ANTDTUX | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 1.2KV 50A TO-3P(N) |
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