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参数资料
| 型号： | FGA25N120ANTDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT NPT TRENCH 1200V 50A TO3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | FGA Series TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，25A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 功率 - 最大： | 312W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FGA25N120ANTDTU_NL FGA25N120ANTDTU_NL-ND |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
Top Mark
Package Packing Method
Reel Size
Tape Width Quantity
FGA25N120ANTDTU FGA25N120ANTD
TO-3P
Tube
N/A
N/A
30
Electrical Characteristics of the IGBT
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off Characteristics
I CES
I GES
Collector Cut-Off Current
G-E Leakage Current
V CE = V CES , V GE = 0 V
V GE = V GES , V CE = 0 V
--
--
--
--
3
± 250
mA
nA
On Characteristics
V GE(th)
G-E Threshold Voltage
I C = 25 mA, V CE = V GE
3.5
5.5
7.5
V
V CE(sat)
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I C = 25 A ,
I C = 25 A ,
T C = 125 ? C
I C = 50 A ,
V GE = 15 V
V GE = 15 V,
V GE = 15 V
--
--
--
2.0
2.15
2.65
--
--
--
V
V
V
Dynamic Characteristics
C ies
C oes
C res
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V CE = 30 V , V GE = 0 V,
f = 1 MHz
--
--
--
3700
130
80
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
E ts
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
E ts
Q g
Q ge
Q gc
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V CC = 600 V, I C = 25 A,
R G = 10 ? , V GE = 15 V,
Inductive Load, T C = 25 ? C
V CC = 600 V, I C = 25 A,
R G = 10 ? , V GE = 15 V,
Inductive Load, T C = 125 ? C
V CE = 600 V, I C = 25 A,
V GE = 15 V
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
50
60
190
100
4.1
0.96
5.06
50
60
200
154
4.3
1.5
5.8
200
15
100
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
nC
nC
nC
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FGA25N120ANTD Rev. C1
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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