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参数资料
| 型号： | FGA25N120ANTDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT NPT TRENCH 1200V 50A TO3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | FGA Series TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，25A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 功率 - 最大： | 312W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FGA25N120ANTDTU_NL FGA25N120ANTDTU_NL-ND |
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 13. Switching Loss vs. Collector Current
Figure 14. Gate Charge Characteristics
16
10
Common Emitter
V GE = ? 15V, R G = 10 ?
T C = 25 ? C
T C = 125 ? C
Eon
14
12
Common Emitter
R L = 24 ?
T C = 25 ? C
Vcc = 200V
600V
10
400V
1
0.1
Eoff
8
6
4
2
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
Collector Current, I C [A]
Figure 15. SOA Characteristics
Gate Charge, Q g [nC]
Figure 16. Turn-Off SOA
100
100
Ic MAX (Pulsed)
50 ? s
Ic MAX (Continuous)
100 ? s
10
1ms
1
0.1
Single Nonrepetitive
Pulse T C = 25 ? C
Curves must be derated
linearly with increase
DC Operation
10
Safe Operating Area
0.01
in temperature
1
V GE = 15V, T C = 125 ? C
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
Collector - Emitter Voltage, V CE [V]
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
110
1
0.5
0 .
0.2
0.1
0.05
Pdm
0 . 0 1
0.02
t1
t2
1 E - 3
0.01
single pulse
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm ? Zthjc + T C
1 E - 5
1 E - 4
1 E - 3
0 . 0 1
0 . 1
1
1 0
R e c t a n g u l a r P u l s e D u r a ti o n [ s e c ]
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FGA25N120ANTD Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM309S18.8696MABJTR | CRYSTAL 18.8696 MHZ 18PF SMD |
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| 5232AB9 | SWITCH TOGGLE MINI |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGA25N120ANTDTU_F109 | 功能描述:IGBT 晶体管 Copak Discrete RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA25N120ANTDTUX | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 1.2KV 50A TO-3P(N) |
| FGA25N120ANTU | 功能描述:IGBT 晶体管 25A/1200V/NPT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA25N120FTD | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V 25A Field Stop Trench RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA25N12ANTD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT |
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