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参数资料
| 型号： | FGA25N120ANTDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT NPT TRENCH 1200V 50A TO3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | FGA Series TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，25A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 功率 - 最大： | 312W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FGA25N120ANTDTU_NL FGA25N120ANTDTU_NL-ND |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
Figure 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
180
160
140
T C = 25 ? C
20V
17V
15V 12V
10V
120
100
Common Emitter
V GE = 15V
T C = 25 ? C
T C = 125 ? C
120
100
9V
80
60
80
60
40
8V
7V
40
20
20
V GE = 6V
0
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 4. Saturation Voltage vs. V GE
3.0
Common Emitter
V GE = 15V
20
Common Emitter
T C = -40 ? C
16
2.5
40A
12
2.0
I C = 25A
8
40A
1.5
4
0
I C = 12.5A
25A
25
50
75
100
125
0
4
8
12
16
20
Case Temperature, T C [ ? C]
Figure 5. Saturation Voltage vs. V GE
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
Figure 6. Saturation Voltage vs. V GE
20
16
12
8
40A
Common Emitter
T C = 25 ? C
20
16
12
8
40A
Common Emitter
T C = 125 ? C
4
I C = 12.5A
25A
4
25A
I C = 12.5A
0
0
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FGA25N120ANTD Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| FGA25N12ANTD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT |
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