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参数资料
| 型号： | FGA25N120ANTDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT NPT TRENCH 1200V 50A TO3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | FGA Series TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，25A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 功率 - 最大： | 312W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FGA25N120ANTDTU_NL FGA25N120ANTDTU_NL-ND |
Typical Performance Characteristics
Figure 18. Forward Characteristics
50
(Continued)
Figure 19. Reverse Recovery Current
30
10
T J = 125 ? C
25
20
15
di F /dt = 200A/ ? s
di F /dt = 100A/ ? s
1
0.1
T J = 25 ? C
T C = 125 ? C
T C = 25 ? C
10
5
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
5
10
15
20
25
Forward Voltage , V F [V]
Figure 20. Stored Charge
4000
Forward Current , I F [A]
Figure 21. Reverse Recovery Time
300
di F /dt = 100A/ ? s
3000
2000
di F /dt = 200A/ ? s
200
di F /dt = 200A/ ? s
di F /dt = 100A/ ? s
100
1000
0
0
5
10
15
20
25
5
10
15
20
25
Forward Current , I F [A]
Forward Current , I F [A]
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FGA25N120ANTD Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FGA25N12ANTD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT |
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