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参数资料
| 型号： | FGA50N100BNTDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT NPT 50A 1000V TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.9V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 功率 - 最大： | 156W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
Package Marking and Ordering Information
Packing
Part Number
Top Mark
Package
Method Reel Size Tape Width
Quantity
FGA50N100BNTDTU
FGA50N100BNTD
TO-3P
Rail / Tube
N/A
N/A
30
Electrical Characteristics of IGBT
T C = 25 ? C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off Characteristics
BV CES
I CES
I GES
Collector Emitter Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
G-E Leakage Current
V GE = 0 V, I C = 1 mA
V CE = 1000 V, V GE = 0 V
V GE = ± 25 V, V CE = 0 V
1000
--
--
--
--
--
--
1.0
± 500
V
mA
nA
On Characteristics
V GE(th)
G-E Threshold Voltage
I C = 60 mA, V CE = V GE
4.0
5.0
7.0
V
V CE(sat)
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I C = 10 A ,
I C = 60 A ,
V GE = 15 V
V GE = 15 V
--
--
1.5
2.5
1.8
2.9
V
V
Dynamic Characteristics
C ies
C oes
C res
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V CE =10 V , V GE = 0 V,
f = 1 MHz
--
--
--
6000
260
200
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q ge
Q gc
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V CC = 600 V, I C = 60 A,
R G = 51 ? , V GE =15 V,
Resistive Load, T C = 25 ? C
V CE = 600 V, I C = 60 A,
V GE = 15 V , , T C = 25 ? C
--
--
--
--
--
--
--
140
320
630
130
275
45
95
--
--
--
250
350
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Electrical Characteristics of DIODE T C
= 25 ? C unless otherwise noted
Symbol
V FM
t rr
I R
Parameter
Diode Forward Voltage
Diode Reverse Recovery Time
Instantaneous Reverse Current
Test Conditions
I F = 15 A
I F = 60 A
I F = 60 A di F /dt = 20 A/us
V RRM = 1000 V
Min.
--
--
--
Typ.
1.2
1.8
1.2
0.05
Max.
1.7
2.1
1.5
2
Unit
V
V
us
uA
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FGA50N100BNTD Rev. C2
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA50N100BNTTU | IGBT NPT 1000V 50A TO-3P |
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| FGA90N33ATDTU | IGBT PDP TRENCH 330V 90A TO-3P |
| FGAF40N60UFDTU | IGBT FAST W/DIODE 600V TO-3PF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGA50N100BNTTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-CH / 50A 1000V NPT Trench RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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| FGA50S110P | 功能描述:IGBT 晶体管 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA-60 | 制造商:Richco 功能描述:Fan Gasket,Black,60MM 制造商:Richco 功能描述:Bulk |
| FGA60N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 60A Field Stop IGBT |
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