- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录429 > FGA50N100BNTDTU (Fairchild Semiconductor)IGBT NPT 50A 1000V TO-3P Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FGA50N100BNTDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT NPT 50A 1000V TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.9V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 功率 - 最大： | 156W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
T C = 25 C
Tc = 25 C
Tc = 125 C
100
80
Common Emitter
o
20V
15V
10V
9V
8V
90
80
70
Common Emitter
V GE = 15V
o
o
60
60
50
40
20
0
7V
V GE = 6V
40
30
20
10
0
0
1 2 3 4
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
5
0
1 2 3
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
4
T C = - 40 C
Fig 1. Typical Output Characteristics
Common Emitter
V GE =15V
Fig 2. Typical Saturation Voltage Characteristics
10
Common Emitter
O
3
80A
60A
8
6
2
30A
4
30A
60A
80A
1
I C =10A
2
0
I C =10A
-50
0
50
100
150
4
8
12
16
20
Case Temperature, T C [ C]
o
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Varient Current Level
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
Fig 4. Saturation Voltage vs. V GE
10
Common Emitter
10
Common Emitter
T C = 25 C
T C = 125 C
8
o
8
o
6
30A
6
30A
60A
80A
4
60A
80A
4
2
0
I C = 10A
2
0
I C = 10A
4
8
12
16
20
4
8
12
16
20
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
Fig 5. Saturation Voltage vs. V GE
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
Fig 6. Saturation Voltage vs. V GE
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FGA50N100BNTD Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA50N100BNTTU | IGBT NPT 1000V 50A TO-3P |
| FGA60N60UFDTU | IGBT 600V 120A TO-3P |
| FGA60N65SMD | IGBT 650V 120A TO-3P |
| FGA90N33ATDTU | IGBT PDP TRENCH 330V 90A TO-3P |
| FGAF40N60UFDTU | IGBT FAST W/DIODE 600V TO-3PF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGA50N100BNTTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-CH / 50A 1000V NPT Trench RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA50N60LS | 功能描述:IGBT 晶体管 IGBT Short Circuit Rated RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA50S110P | 功能描述:IGBT 晶体管 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA-60 | 制造商:Richco 功能描述:Fan Gasket,Black,60MM 制造商:Richco 功能描述:Bulk |
| FGA60N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 60A Field Stop IGBT |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。