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参数资料
| 型号： | FGA50N100BNTDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT NPT 50A 1000V TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.9V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 功率 - 最大： | 156W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
T C =25 C
10000
Cies
10000
V CC =600V, I C =60A
V GE = +/-15V
o
Tdoff
1000
Coes
1000
Tr
T don
Tf
T C = 25 C
100
Common Emitter
V GE = 0V, f = 1MHz
o
Cres
100
0
5
10
15
20
25
30
10
0
50
100
150
200
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 7. Capacitance Characteristics
Gate Resistance, R G [ ? ]
Fig 8. Switching Characteristics vs.
Gate Resistance
20
Common Emitter
V G E = + /-1 5 V , T C = 2 5 C
T C =25 C
1000
V CC = 6 0 0 V , R g = 5 1 ?
o
15
V CC =600V, R L =10 ?
o
T d o ff
10
Tf
Tr
5
100
T don
0
10
20
30
40
50
60
0
50
100
150
200
250
300
C o lle cto r C urre nt, I C [A ]
Fig 9. Switching Characteristics vs.
Gate Charge, Q g [nC]
Fig 10. Gate Charge Characteristics
Collector Current
1
100
Ic MAX (Pulsed)
0.5
Ic MAX (Continuous)
100 ? s
50 ? s
0.1
0.2
0.1
10
1ms
0.05
Pulse Tc = 25 C
1
0.1
DC Operation
Single Nonrepetitive
o
Curves must be derated
0.01
0.02
0.01
singlepulse
0.01
linearly with increase
in temperature
1E-3
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
1000
Rectangular PulseDuration[sec]
Collector - Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 11. SOA Characteristics
Fig 12. Transient Thermal Impedance of IGBT
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FGA50N100BNTD Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA50N100BNTTU | IGBT NPT 1000V 50A TO-3P |
| FGA60N60UFDTU | IGBT 600V 120A TO-3P |
| FGA60N65SMD | IGBT 650V 120A TO-3P |
| FGA90N33ATDTU | IGBT PDP TRENCH 330V 90A TO-3P |
| FGAF40N60UFDTU | IGBT FAST W/DIODE 600V TO-3PF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGA50N100BNTTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-CH / 50A 1000V NPT Trench RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA50N60LS | 功能描述:IGBT 晶体管 IGBT Short Circuit Rated RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA50S110P | 功能描述:IGBT 晶体管 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA-60 | 制造商:Richco 功能描述:Fan Gasket,Black,60MM 制造商:Richco 功能描述:Bulk |
| FGA60N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 60A Field Stop IGBT |
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