- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录375795 > FGA50N60LS (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) IGBT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FGA50N60LS |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 中文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 493K |
| 代理商： | FGA50N60LS |
FGA50N60LS Rev. A
F
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Electrical Characteristics of the IGBT
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
B
VCES
/
T
J
Voltage
I
CES
Collector Cut-Off Current
I
GES
G-E Leakage Current
V
GE
= 0V, I
C
= 250uA
600
--
--
V
Temperature Coefficient of Breakdown
V
GE
= 0V, I
C
= 1mA
--
0.6
--
V/
°
C
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
--
--
--
--
250
± 100
uA
nA
On Characteristics
V
GE(th)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 50mA, V
CE
= V
GE
I
C
= 50A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 80A
,
V
GE
= 15V
3.5
--
--
5.5
1.6
1.96
7.5
1.8
--
V
V
V
V
CE(sat)
Dynamic Characteristics
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
f = 1MHz
--
--
--
2660
250
78
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
V
CC
= 300 V, I
C
= 50A,
R
G
= 5.9
, V
GE
= 15V,
Inductive Load, T
C
= 25
°
C
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
54
96
146
326
1.1
3.2
4.3
56
87
134
575
1.2
5.0
6.2
--
--
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
220
600
--
--
6.0
--
--
215
880
--
--
8.7
V
CC
= 300 V, I
C
= 50A,
R
G
= 5.9
, V
GE
= 15V,
Inductive Load, T
C
= 125
°
C
T
sc
Short Circuit Withstand Time
V
CC
=300 V, V
GE
= 15V
@
T
C
= 100
°
C
10
--
--
μ
s
Q
g
Q
ge
Q
gc
L
e
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
Internal Emitter Inductance
V
CE
= 300 V, I
C
= 50A,
V
GE
= 15V
--
--
--
--
167
27
68
14
240
35
100
--
nC
nC
nC
nH
Measured 5mm from PKG
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGAF40N60UFD | Ultrafast IGBT |
| FGC4000BX-90DS | HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE |
| FGD3N60LSD | IGBT |
| FGD3N60LSDTF | IGBT |
| FGD3N60LSDTM | IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGA50S110P | 功能描述:IGBT 晶体管 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA-60 | 制造商:Richco 功能描述:Fan Gasket,Black,60MM 制造商:Richco 功能描述:Bulk |
| FGA60N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 60A Field Stop IGBT |
| FGA60N60UFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 60A FIELD STOP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA60N65SMD | 功能描述:IGBT 晶体管 650V, 60A Field Stop IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。