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参数资料
| 型号： | FGA50N60LS |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 中文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 493K |
| 代理商： | FGA50N60LS |
FGA50N60LS Rev. A
F
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
1
10
0
20
40
60
80
100
120
140
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
-50
0
50
100
150
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
100A
Common Emitter
V
GE
= 15V
I
C
= 30A
50A
C
C
Case Temperature, T
C
[
o
C]
0.1
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
60
Vcc = 300V
Load Current : peak of square wave
Duty cycle : 50%
Tc = 100
Power Dissipation = 48W
o
C
L
Frequency [kHz]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
100A
50A
I
C
= 30A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
o
C
100A
50A
I
C
= 30A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
2
4
6
8
0
20
40
60
80
100
120
140
V
GE
= 8V
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
12V
15V
20V
10V
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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