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参数资料
| 型号： | FGB20N60SFD |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH 20A 600V D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.8V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 40A |
| 功率 - 最大： | 208W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
November 2013
FGB20N60SFD
600 V, 20 A Field Stop IGBT
Features
? High Current Capability
? Low Saturation Voltage: V CE(sat) = 2.2 V @ I C = 20 A
? High Input Impedance
? Fast Switching : E OFF = 8 uJ/A
? RoHS Compliant
Applications
? Solar Inverter, UPS, Welder, PFC
General Description
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s field stop
IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS,
welder and PFC applications where low conduction and switch-
ing losses are essential.
C
COLLECTOR
(FLANGE)
G
TO-263AB/D 2 -PAK
G C
E
E
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V CES
V GES
Description
Collector to Emitter Voltage
Gate to Emitter Voltage
Ratings
600
? 20
Unit
V
V
@ T C = 25 C
@ T C = 25 C
I C
I CM (1)
I F
I FM(1)
P D
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
Diode Forward Current
Diode Forward Current
Pulsed Diode Maximum Forward Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
o
@ T C = 100 o C
@ T C = 25 o C
o
@ T C = 100 o C
@ T C = 25 o C
@ T C = 100 o C
40
20
60
20
10
60
208
83
A
A
A
A
A
A
W
W
T J
Operating Junction Temperature
-55 to +150
o
C
T stg
Storage Temperature Range
-55 to +150
o C
T L
Maximum Lead Temp. for soldering
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
300
o
C
Notes:
1: Repetitive rating: Pulse width limited by max. junction temperature
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FGB20N60SFD Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGB20N60SF | IGBT 600V 40A 208W D2PAK |
| FGB3236_F085 | IGBT N-CH IGNITION 360V D2PAK |
| FGB40N60SM | IGBT NPT 600V 80A D2PAK |
| FGB5N60UNDF | IGBT NPT 600V 10A D2PAK |
| FGB7N60UNDF | IGBT NPT 600V 14A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGB20N6S2 | 功能描述:IGBT 晶体管 Sgl N-Ch 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGB20N6S2D | 功能描述:IGBT 晶体管 Comp N-Ch 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGB20N6S2DT | 功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Ch IGBT SMPS II Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGB20N6S2T | 功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS II Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGB3040CS | 功能描述:马达/运动/点火控制器和驱动器 IGBT EcoSPARK 300mJ 400V NCh Cur Sen Ign RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Stepper Motor Controllers / Drivers 类型:2 Phase Stepper Motor Driver 工作电源电压:8 V to 45 V 电源电流:0.5 mA 工作温度:- 25 C to + 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:HTSSOP-28 封装:Tube |
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